{"product_id":"ieej-20221202x02901-011","title":"ホール制御型ゲートを有する4.5 kVダブルゲートRC-IEGT","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD22061,SPC22201\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス\/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2022\/11\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003e4.5 kV Double-gate RC-IEGT with Hole Control Gate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e加藤 貴大(東芝　),下條 亮平(東芝デバイス\u0026amp;ストレージ),坂野 竜則(東芝　),川上 陽代(東芝デバイス\u0026amp;ストレージ),早瀬 茂昭(東芝デバイス\u0026amp;ストレージ),井口 智明(東芝　),高尾 和人(東芝　)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakahiro Kato(Toshiba Corporation),Ryohei Gejo(Toshiba Electronic Device \u0026amp; Storage Corporation),Tatsunori Sakano(Toshiba Corporation),Akiyo Kawakami(Toshiba Electronic Device \u0026amp; Storage Corporation),Shigeaki Hayase(Toshiba Electronic Device \u0026amp; Storage Corpo\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e逆導通電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ|ダブルゲート|ホール制御型ゲート|RC-IEGT|Double-gate|Hole control gate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e大容量電力変換器の性能向上のため高耐圧パワーデバイスの低損失化が求められている。本研究では、ホール制御型ゲート(H-CG)を有するダブルゲート構造の逆導通電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ(RC-IEGT)に対し、ターンオフ前はH-CGに負電圧、逆回復前はH-CGに正電圧を印加する制御を行い、導通損失を悪化させずターンオフ損失と逆回復損失を低減できることを実証したので、その結果について発表する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eA 4.5 kV double-gate reverse-conducting injection-enhanced-gate-transistor (RC-IEGT) with a hole control gate (H-CG) has been developed for improving power conversion efficiencies for medium-voltage power converters utilized such as HVDC systems. In the developed double-gate RC-IEGT, a negative voltage is applied to the H-CG before the turn-off, while a positive voltage is applied to the H-CG before the reverse recovery mode. It was demonstrated that the fabricated H-CG type double-gate RC-IEGT reduced both the turn-off loss and the reverse recovery loss without increasing the conduction loss.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌: \u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/ieej-20221202x02901\"\u003e2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス\/半導体電力変換合同研究会-2\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e57-62 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,655 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46352338223343,"sku":"IEEJ-20221202X02901-011-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46355411435759,"sku":"IEEJ-20221202X02901-011-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_a673749a-e3ca-47cc-8b50-bf54838664cd.png?v=1743229049","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20221202x02901-011","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}