{"product_id":"ieej-20231122c00101-026","title":"WSe2の分子吸着ドーピングと表面酸化による面内pn接合の形成","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM23027\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2023\/11\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFormation of a lateral pn junction in WSe2 by molecular doping and surface oxidation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e四方 沢弥(関西大学),稲田 貢(関西大学),谷口 尚(物質・材料研究機構),渡邊 賢司(物質・材料研究機構),上野 啓司(埼玉大学),山本 真人(関西大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakumi Shikata(Kansai University),Mitsuru Inada(Kansai University),Takashi Taniguchi(National Institute for Materials Science),Kenji Watanabe(National Institute for Materials Science),Keiji Ueno(Saitama University),Mahito Yamamoto(Kansai University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e二次元半導体|電界効果トランジスタ|二セレン化タングステン|ｐｎ接合|表面ドーピング|Two-dimensional semiconductor|field-effect transistor|WSe2|pn junction|surface doping\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e二次元半導体は原子レベルの薄さにおいても優れた半導体特性を示すことから、次世代の半導体デバイス材料として期待されている。二次元半導体をトランジスタや太陽電池、LEDなどのデバイスへと応用させるためには、キャリアタイプの厳密制御が必要不可欠である。本研究では、二次元半導体の一種であるWSe2においてトリフェニルホスフィンを用いた表面吸着ドーピングと表面酸化を行うことで、面内pn接合の形成に成功した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003e2D semiconductors exhibit excellent semiconducting properties even at the atomic thicknesses. In order to apply 2D semiconductors in electronic devices such as LEDs, control of the carrier types is essential. Here, we fabricated a lateral pn junction in WSe2 by n-type doping with triphenylphosphine, followed by surface oxidation. \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌: \u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/ieej-20231122c00101\"\u003e2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e97-100 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,300 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46352505536751,"sku":"IEEJ-20231122C00101-026-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46355559481583,"sku":"IEEJ-20231122C00101-026-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_1e8cb41c-8101-484b-85c3-9e00247a8a93.png?v=1743234388","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20231122c00101-026","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}