{"product_id":"ieej-20240702c00201-004","title":"分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD24033\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2024\/07\/02\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDemonstration of AlN-Based Vertical p-n Diodes with Distributed Polarization Doping\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e隈部 岳瑠(名古屋大学),吉川 陽(旭化成),川崎 晟也(名古屋大学),久志本 真希(名古屋大学),本田 善央(名古屋大学),新井 学(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学),天野 浩(名古屋大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakeru Kumabe(Nagoya University),Akira Yoshikawa(Asahi Kasei),Seiya Kawasaki(Nagoya University),Maki Kushimoto(Nagoya University),Yoshio Honda(Nagoya University),Manabu Arai(Nagoya University),Jun Suda(Nagoya University),Hiroshi Amano(Nagoya University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化アルミニウム|パワー半導体デバイス|伝導性制御技術|分極ドーピング|Aluminum nitride|Power semiconductor devices|Conductivity control|Polarization doping\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eAlNおよび高Al組成AlGaNは次世代のパワーデバイス材料として期待されている．しかし，AlN系材料では不純物ドーピングによる伝導性制御が困難であるため，良好な電気的特性を示す縦型パワーデバイスは実現されていなかった．これまでに，我々は，窒化物半導体の分極効果を活用して高Al組成AlGaNの伝導性を制御し，良好な電気特性を示すAlN系縦型p-nダイオードを実現してきた．本講演では，「分極ドーピング」とデバイス応用について紹介する．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eAlN and high-Al-content AlGaN attract attention as materials for next-generation electronic device applications. Despite its potential, no high-performance AlN-based vertical power devices were reported owing to the difficulty on controlling conductivity by impurity doping. To date, we have demonstrated ideal AlN-based p-n diodes by utilizing the polarization effect for controlling the conductivity of high-Al-content AlGaN. In this lecture, we report on the basics and application of \"polarization doping\".\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌: \u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/ieej-20240702c00201\"\u003e2024年7月5日電子デバイス研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e19-23 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,268 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46352583327983,"sku":"IEEJ-20240702C00201-004-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46355749109999,"sku":"IEEJ-20240702C00201-004-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_537b74c0-7f6c-42d1-a0c1-0687e940f172.png?v=1743252958","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20240702c00201-004","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}