{"product_id":"ieej-20241111x02901-013","title":"微細FinFET構造を用いた超低損失パワーデバイスの提案と実証","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD24052,SPC24190\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス\/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2024\/11\/11\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eProposal and demonstration of ultra-low loss power devices using FinFET structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e蘇 宇軒(九州工業大学),ゴラプディ スリカント(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYuxuan Su(Kyushu institute of technology),Srikanth Gollapudi(Kyushu institute of technology),Ichiro Omura(Kyushu institute of technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＦｉｎＦＥＴ構造|導通損失の低減|Ｔ－ＣＡＤシミュレーション|高周波ゲートパルス|FinFET structure|conduction loss reduction|T-CAD simulation|high frequency gate pulse\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e導通損失を削減可能なFinFET構造を持つ新原理Siパワーデバイスを提案した。T-CADシミュレーションを用いて650Vクラスのデバイスを設計し、動作実証を行った。高周波ゲートパルスを用いた結果、大電流動作での平均ビルトイン電圧が大幅に下がり、導通損失が約60％低減するなどの利点が示されている。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eA new silicon power device with a FinFET emitter structure capable of reducing conduction loss has been proposed. A 650V class device was designed, and its operation demonstrated using T-CAD simulation. The operation with high-frequency gate pulses shows significant reduction of built-in potential even at high current density, leading to a 60% lower conduction loss.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌: \u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/ieej-20241111x02901\"\u003e2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス\/半導体電力変換合同研究会-1\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e67-72 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,212 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46352617046255,"sku":"IEEJ-20241111X02901-013-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46355800490223,"sku":"IEEJ-20241111X02901-013-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_b166d7db-d587-4283-a30f-728c7adbb932.png?v=1743254491","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20241111x02901-013","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}