{"product_id":"ieej-20241111x02902-013","title":"両面マルチゲートIGBTにおける寄生素子動作抑制によるターンオフ損失低減効果の試作実証","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD24069,SPC24207\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス\/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2024\/11\/11\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDemonstration of turn-off loss reduction by suppressing parasitic transistor in single-back and double-front multi gate-controlled IGBT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e小林 勇介(東芝),坂野 竜則(東芝),山本 崇人(東芝),井口 智明(東芝),高尾 和人(東芝),末代 和子(東芝デバイス＆ストレージ),下條 亮平(東芝デバイス＆ストレージ),小林 研也(東芝デバイス＆ストレージ),福井 宗利(東京大学),更屋 拓哉(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),平本 俊郎(東京大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKobayashi Yusuke(Toshiba Corporation),Tatsunori Sakano(Toshiba Corporation),Yamamoto Takato(Toshiba Corporation),Inokuchi Tomoaki(Toshiba Corporation),Takao Kazuto(Toshiba Corporation),Matsudai Tomoko(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation),Gejo Ryohei(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation),Kobayashi Kenya(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation),Fukui Munetoshi(The University of Tokyo),Saraya Takuya(The University of Tokyo),Ito Kazuo(The University of Tokyo),Takakura Toshihiko(The University of Tokyo),Suzuki Shinich(The University of Tokyo),Hiramoto Toshiro(The University of Tokyo)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＩＧＢＴ|マルチゲート|ターンオフ損失|寄生素子|裏面ゲート|IGBT|Multi-gate|Turn-off loss|parasitic transistor|Buck-gate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e両面マルチゲートでターンオフ直前に蓄積キャリアを減らすことでターンオフ損失を低減できる。また裏面の寄生素子が動作すると裏面ゲート近くの注入効率が低下すると報告されている。本研究では、深いP層で寄生素子の動作を抑えると、ターンオフ損失とオン電圧のトレードオフが改善することを実証した。これは、定常オン時の裏面ゲート近くの蓄積キャリアが増えると、裏面ゲートによる蓄積キャリア低減効果が向上するためである。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eSingle-back and double-front multi gate-controlled IGBT (SDG-IGBT) can reduce turn-off losses by decreasing accumulated carriers just before turn-off. One of the issued is the decreases of injection efficiency near the back gate when parasitic transistor on the backside operates. This study demonstrates that suppressing this operation by deep P-layer improves the trade-off between turn-off loss and on-state voltage. This is because an increase in accumulated carriers near the back gate during steady-on-state enhances the reduction of accumulated carriers by the back gate.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌: \u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/ieej-20241111x02902\"\u003e2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス\/半導体電力変換合同研究会-2\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e73-78 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,084 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46352617963759,"sku":"IEEJ-20241111X02902-013-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46355806683375,"sku":"IEEJ-20241111X02902-013-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_e64ecd47-ec10-477b-9eda-ba2fa06186bc.png?v=1743254544","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20241111x02902-013","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}