{"product_id":"ieej-20241111x02902-017","title":"導通損失とスイッチング損失のトレードオフを改善するトレンチフィールドプレートMOSFETの疑似ゲート独立制御スイッチングの実証","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD24073,SPC24211\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス\/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2024\/11\/11\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDemonstration of Pseudo Independent Gate Drive Switching of Trench Field Plate MOSFETs for Improvement of the Tradeoff between Conduction and Switching Losses\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e西脇 達也(東芝デバイス＆ストレージ),隈部 由(東芝デバイス＆ストレージ),宮島 直也(東芝デバイス＆ストレージ),河村 圭子(東芝デバイス＆ストレージ),小林 研也(東芝デバイス＆ストレージ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTatsuya Nishiwaki(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation),Yu Kumabe(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation),Naoya Miyajima(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation),Keiko Kawamura(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation),Kenya Kobayashi(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eトレンチＦＰ　ＭＯＳＦＥＴ|フィールドプレート|マルチゲート制御|疑似独立制御|スイッチング|アバランシェ動作|Trench FP MOSFET|Field Plate|Muiti Gate Driving|Pseudo Independent Driving|Switching|Unclamped Inductive Switching\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eトレンチフィールドプレート(FP) MOSFETのFP電極は、ソースに接続した場合には高速スイッチングが、ゲートに接続した場合には低オン抵抗の特性を実現できる。両接続の長所を両立するために、我々は一般的なゲートドライブ回路に３つの外付け素子の追加のみでFP電極の疑似独立制御を行う駆動方法を提案している。本論文では、この駆動方法を用いたモジュールを試作し、スイッチング動作の実証を行った。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eTrench Field Plate (FP) MOSFET can achieve high-speed switching when its FP electrodes are connected to a source and low on-resistance when they are connected to a gate. We have proposed a pseudo-independent gate driving of the FP electrode, which can combine the advantages of both connections. In this paper, we fabricated a module using this technique and demonstrated its switching operation.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌: \u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/ieej-20241111x02902\"\u003e2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス\/半導体電力変換合同研究会-2\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e95-100 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,059 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46352618291439,"sku":"IEEJ-20241111X02902-017-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46355807371503,"sku":"IEEJ-20241111X02902-017-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_c11b2a9f-9ff4-4a7e-91cc-3c1fd4638aa9.png?v=1743254561","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20241111x02902-017","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}