{"product_id":"ieej-20250413c00201-001","title":"酸化ガリウムデバイスのための窒素ドーピング技術","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD25041\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2025\/04\/13\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNitrogen Doping Technology for Gallium Oxide Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e東脇 正高(大阪公立大学),稲嶌 仁(大阪公立大学),上原 知起(大阪公立大学),寺村 祐輔(大阪公立大学),辻本 晃基(大阪公立大学),ワン ジェンウェイ(情報通信研究機構),本田 智子(大阪公立大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasataka Higashiwaki(Osaka Metropolitan University),Jin Inajima(Osaka Metropolitan University),Tomoki Uehara(Osaka Metropolitan University),Yusuke Teramura(Osaka Metropolitan University),Kohki Tsujimoto(Osaka Metropolitan University),Zhenwei Wang(National Institute of Information and Communications Technology),Satoko Honda(Osaka Metropolitan University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e酸化ガリウム|窒素|ドーピング|アクセプタ|トランジスタ|ショットキーバリアダイオード|gallium oxide|nitrogen|doping|acceptor|transistor|Schottky barrier diode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e酸化ガリウム (Ga2O3) 中にドープした窒素 (N) は、ディープアクセプタとして働く。そのため、Nドープp-Ga2O3\/n-Ga2O3接合において、約3 eVの高さのエネルギー障壁を形成することができる。本講演では、Ga2O3へのNドーピング技術、およびそのデバイス応用例について紹介する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eNitrogen (N) doped in gallium oxide (Ga2O3) acts as a deep acceptor. Therefore, an energy barrier of about 3 eV can be formed at the N-doped p-Ga2O3\/n-Ga2O3 junction. In this presentation, I will introduce N-doping techniques for Ga2O3 and their device applications.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌: \u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/ieej-20250413c00201\"\u003e2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e1-5 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,977 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46474867769583,"sku":"IEEJ-20250413C00201-001-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46474891526383,"sku":"IEEJ-20250413C00201-001-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_c3363114-dfeb-4db8-be0e-4f008705701e.png?v=1747905770","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20250413c00201-001","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}