{"product_id":"ieej-20250413c00201-006","title":"サブテラヘルツ応用を見据えたAlGaN\/GaNデュアルゲートHEMTの検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD25046\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2025\/04\/13\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eInvestigation of AlGaN\/GaN Dual-Gate HEMTs for Sub-Terahertz Applications\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e安藤 裕二(名古屋大学),高橋 英匡(名古屋大学),牧迫 隆太郎(名古屋大学),分島 彰男(熊本大学),須田 淳(名古屋大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYuji Ando(Nagoya University),Hidemasa Takahashi(Nagoya University),Ryutaro Makisako(Nagoya University),Akio Wakejima(Kumamoto University),Jun Suda(Nagoya University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＡｌＧａＮ／ＧａＮ|デュアルゲート　|高電子移動度トランジスタ　|AlGaN\/GaN|Dual gate|HEMT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eゲート長0.1～0.3 μmのSG構造およびDG構造のAlGaN\/GaN HEMTを作製した。SG素子では短チャネル効果と電流コラプスが顕著であったが、DG素子ではこれらの現象の抑制に成功した。DG素子はSG素子より4dB以上高い電力利得を示した。高AlNモル分率・薄層化障壁層の採用により利得性能がさらに向上し、80 nmゲートのDG素子にて外挿fmaxとして248 GHzを得た。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eWe fabricated AlGaN\/GaN HEMTs in both single-gate (SG) and dual-gate (DG) configurations. In the DG HEMTs, both short-channel effects and current collapse were effectively suppressed compared to the SG devices. The DG HEMT exhibited an increase in Mason’s U of more than 4dB compared to the SG HEMT with an equivalent gate length. Furthermore, the DG HEMT’s performance was further enhanced by employing a high AlN mole fraction and a thin barrier layer, achieving an fmax of 248 GHz.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌: \u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/ieej-20250413c00201\"\u003e2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e31-34 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,411 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46474867933423,"sku":"IEEJ-20250413C00201-006-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46474893525231,"sku":"IEEJ-20250413C00201-006-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_4ca04140-1c40-44da-ae19-a393af36bce6.png?v=1747905781","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20250413c00201-006","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}