{"product_id":"ieej-20250413c00201-008","title":"m面チャネルAlSiO\/AlN\/p-GaN MOSFETにおける移動度向上とノーマリオフ動作","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD25048\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2025\/04\/13\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh channel mobility and stable E-mode operation in AlSiO\/AlN\/m-plane p-GaN MOSFETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e伊藤 健治(豊田中央研究所),成田 哲夫(豊田中央研究所),井口 紘子(豊田中央研究所),岩崎 四郎(豊田中央研究所),菊田 大悟(豊田中央研究所),狩野 絵美(名古屋大学),五十嵐 信行(名古屋大学),兼近 将一(名古屋大学),冨田 一義(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学),加地 徹(名古屋大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKenji Ito(Toyota Central Reserch and Development Laboratories),Tetsuo Narita(Toyota Central Reserch and Development Laboratories),Hiroko Iguchi(Toyota Central Reserch and Development Laboratories),Shiro Iwasaki(Toyota Central Reserch and Development Laboratories),Daigo Kikuta(Toyota Central Reserch and Development Laboratories),Emi Kano(Nagoya University),Nobuyuki Ikarashi(Nagoya University),Masakazu Kanechika(Nagoya University),Kazuyoshi Tomita(Nagoya University),Jun Suda(Nagoya University),Tetsuo Kachi(Nagoya University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化ガリウム|ＭＯＳＦＥＴ|分極電荷|界面層|窒化アルミニウム|チャネル移動度|GaN|MOSFET|polarization charge|interlayer|AlN|channel mobility\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eAlSiO\/AlN\/p-GaN構造を有するトレンチゲート型MOSFETを作製しプレーナ型MOSFETと比較した。m面をチャネルとした場合においても高い実効移動度が得られると同時に、分極効果や焦電効果の消失により温度依存性の小さい安定したノーマリオフ動作が可能であることが分かった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eThe trench-gate MOSFET having a AlSiO\/AlN\/p-type GaN gate structure is systematically compared to the planer MOSFET. The m-plane channel exhibits high effective mobility and demonstrates the advantage of the stable enhancement-mode operation with little temperature dependence by eliminating the polarization and the pyroelectric effects.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌: \u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/ieej-20250413c00201\"\u003e2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e41-44 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,240 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46474867998959,"sku":"IEEJ-20250413C00201-008-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46474893623535,"sku":"IEEJ-20250413C00201-008-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_765dbe43-d08b-42d2-bcac-a88ac4627486.png?v=1747905785","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20250413c00201-008","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}