{"product_id":"ieej-20250413c00201-010","title":"大電力・高速動作を実現可能なp-GaNシールド構造を有するGaN基板上縦型GaNトランジスタ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD25050\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2025\/04\/13\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLow RonCrss of 171 mOhmpF Normally-off Vertical GaN Transistor on GaN Substrate Using p-GaN Shield Structure for High-Power and High-Speed Switching\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e鳥居 直生(パナソニックホールディングス),柴田 大輔(パナソニックホールディングス),小川 雅弘(パナソニックホールディングス),川口 真生(パナソニックホールディングス),半田 浩之(パナソニックホールディングス),鶴見 直大(パナソニックホールディングス),田村 聡之(パナソニックホールディングス),岡山 芳央(パナソニックホールディングス)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNaoki Torii(Panasonic Holdings),Daisuke Shibata(Panasonic Holdings),Masahiro Ogawa(Panasonic Holdings),Masao Kawaguchi(Panasonic Holdings),Hiroyuki Handa(Panasonic Holdings),Naohiro Tsurumi(Panasonic Holdings),Satoshi Tamura(Panasonic Holdings),Yoshio Okayama(Panasonic Holdings)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e縦型トランジスタ|ＧａＮ基板|ｐ－ＧａＮシールド|低ＲｏｎＣｒｓｓ|ノーマリオフ|高速スイッチング|Vertical transistor|GaN substrate|p-GaN shield|Low RonCrss|Normally-off|High-speed switching\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003ep-GaN シールド構造を導入したノーマリーオフGaN 基板上縦型 GaN トランジスタを開発した。V 字型の溝の上に配置されたp-GaN シールドによって、帰還容量Crssを大幅に低減し、RonCrss = 171 mΩ・pFを実現した。また、再成長 AlGaN\/GaN チャネル層と p-GaN シールド構造の電界緩和効果によって、最大ドレイン電流が 57 A、ブレークダウン電圧が 900 V 以上を示した。その後400 V\/20 Aにおける誘導負荷スイッチングを行い、ターンオン損失が従来の縦型GaNトランジスタと比較して75 %削減されていることを実証した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eA novel normally-off vertical GaN transistor on a GaN substrate using a p-GaN shield structure features a low RonCrss of 171 mΩ・pF. It achieves a maximum drain current of 57 A, breakdown voltage over 900 V, and fast switching at 400 V\/20 A.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌: \u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/ieej-20250413c00201\"\u003e2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e51-56 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,818 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46474868064495,"sku":"IEEJ-20250413C00201-010-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46474893721839,"sku":"IEEJ-20250413C00201-010-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_e17f5a7f-7e80-4b51-8099-2a7e2ecaeb7c.png?v=1747905791","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20250413c00201-010","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}