{"product_id":"ieej-20251020x02901-015","title":"単一集積化したパワーGaN HEMTの誤点弧評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eEDD25072,SPC25204\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス\/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/10\/20\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eEvaluation of False Turn-on in Monolithically-integrated Power GaN HEMTs \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e青木 悠真(岡山県立大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学),新谷 道広(京都工芸繊維大学),高山 創(京都工芸繊維大学),鈴木 恭宜(岡山県立大学),伊藤 信之(岡山県立大学),小椋 清孝(岡山県立大学),古田 潤(岡山県立大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eYuma Aoki(Okayama Prefectural University),Kazutoshi  Kobayashi(Kyoto Institute of Technology),Michihiro  Shintani(Kyoto Institute of Technology),Hajime  Takayama(Kyoto Institute of Technology),Yasunori  Suzuki(Okayama Prefectural University),Nobuyuki  Itoh(Okayama Prefectural University),Kiyotaka  Komoku(Okayama Prefectural University),Jun  Furuta(Okayama Prefectural University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eＧａＮ　ＨＥＭＴ,ゲートドライバ,集積化,誤点弧,GaN HEMT,Gate Driver,Integration,False Turn-on\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003eGaN HEMTは横型デバイスであるため、複数のHEMTを集積化することができる。集積化することで寄生インダクタンスを抑制でき、ゲートドライバによるゲート電圧の制御が容易になる。それによってGaN HEMTの問題である誤点弧の耐性を高めることができる。本発表では無負荷ハーフブリッジ回路を使用し、回路全体の消費電力の増加を測定することで集積化したGaN HEMTの誤点弧耐性を評価した結果を報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語)：\u003c\/strong\u003eA monolithically-integrated GaN HEMTs can reduce parasitic inductance, thereby improving the immunity to false turn-on. In this presentation, we report the results of an evaluation of the false turn-on mitigation of integrated GaN HEMTs by using a no-load half-bridge circuit and measuring the increase in power consumption of the entire circuit.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌：\u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/IEEJ-20251020X02901\"\u003e2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス\/半導体電力変換合同研究会-1\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ：\u003c\/strong\u003e87-92p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e1,393Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46967984193775,"sku":"IEEJ-20251020X02901-015-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46967984226543,"sku":"IEEJ-20251020X02901-015-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_5095f86b-d520-4109-9d4f-4847046ff84a.png?v=1760579403","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20251020x02901-015","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}