{"product_id":"ieej-20251020x02901-016","title":"電界強度5 MV\/cm、耐圧1844 Vを有するβ-Ga2O3トレンチMOSショットキーバリアダイオード","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eEDD25073,SPC25205\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス\/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/10\/20\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eβ-Ga2O3 Trench-MOS Schottky Barrier Diodes with Electric Field of 5 MV\/cm and Breakdown Voltage of 1844 V\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e高塚 章夫(ノベルクリスタルテクノロジー),宮本 広信(ノベルクリスタルテクノロジー),前原 経利(フェニテックセミコンダクター),藤原 洋介(フェニテックセミコンダクター),佐々木 公平(ノベルクリスタルテクノロジー),倉又 朗人(ノベルクリスタルテクノロジー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eAkio Takatsuka(Novel Crystal Technology, Inc.),Hironobu Miyamoto(Novel Crystal Technology, Inc.),Tsunetoshi Maehara(Phenitec Semiconductor Corp.),Yosuke Fujiwara(Phenitec Semiconductor Corp.),Kohei Sasaki(Novel Crystal Technology, Inc.),Akito Kuramata(Novel Crystal Technology, Inc.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eβ－Ｇａ２Ｏ３,酸化ガリウム,トレンチ,ＭＯＳ,ショットキーバリアダイオード,ＭＯＳＳＢＤ,β-Ga2O3,Gallium oxide,Trench,Metal-oxide-semiconductor, Schottky barrier diode, MOSSBD\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e4インチウェハプロセスを用いて、アンペア級β-Ga2O3トレンチ型金属酸化膜半導体ショットキーバリアダイオード（MOSSBD）を開発した。デバイスは、新たに開発したMgイオン注入終端構造を設け逆方向特性改善を目指した。作製したMOSSBDの順方向特性立ち上がり電圧および特性オン抵抗は、それぞれ4.2mΩ·cm2と1.0Vであった。ブレークダウン電圧は-1844Vであり、電界強度とパワーデバイス性能指数はそれぞれ5.2MV\/cmと0.71GW\/cm2であった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語)：\u003c\/strong\u003eWe developed ampere-class β-Ga2O3 trench metal oxide semiconductor Schottky barrier diodes (MOSSBDs) using a 4-inch wafer process. The devices were fabricated with Mg-ion-implanted edge terminations to improve reverse characteristics. The typical specific on-resistance and turn-on voltage for the fabricated β-Ga2O3 trench MOSSBDs were 4.2 mΩ·cm2 and 1.0 V, respectively, while the maximum breakdown voltage was −1844 V. The device's corresponding electric field and power device figure of merit were 5.2 MV\/cm and 0.71 GW\/cm2, respectively. These results are the highest values among those reported for ampere-class β-Ga2O3 Schottky barrier diodes. By achieving a maximum electric field of more than 5 MV\/cm, we have overcome one of the most difficult challenges in exceeding the performance of SiC power devices.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌：\u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/IEEJ-20251020X02901\"\u003e2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス\/半導体電力変換合同研究会-1\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ：\u003c\/strong\u003e93-97p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e1,122Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46967984259311,"sku":"IEEJ-20251020X02901-016-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46967984292079,"sku":"IEEJ-20251020X02901-016-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_b549f26c-02e9-47c6-be82-9b7e9aac9d77.png?v=1760579404","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20251020x02901-016","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}