{"product_id":"ieej-20251020x02902-014","title":"両面ゲートIGBTにおける損失低減とサージ電圧抑制の両立","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eEDD25088,SPC25220\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス\/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/10\/20\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eSingle-back and double-front multi-gate controlled IGBTs for achieving both loss reduction and surge voltage suppression simultaneously\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e加藤 滉大(東芝デバイス＆ストレージ),末代 知子(東芝デバイス＆ストレージ),下條 亮平(東芝デバイス＆ストレージ),小林 勇介(東芝),山本 崇人(東芝),根賀 亮平(東芝デバイス＆ストレージ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eKota Kato(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation),Tomoko Matsudai(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation),Ryohei Gejo(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation),Yusuke Kobayashi(Toshiba Corporation),Takato Yamamoto(Toshiba Corporation),Ryohei Nega(Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eＩＧＢＴ,マルチゲート,両面ゲート,コントロールゲート,バックゲート,ターンオフ損失,IGBT,Multi Gate,Double Side Gate,Control Gate,Back Gate,turn-off loss\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e裏面ゲート(BG)を有する4.5kV級両面マルチゲートIGBTは、Pコレクタの高注入設計とターンオフ時のBG駆動による蓄積キャリア低減により、低オン電圧と低ターンオフ損失が可能である。一方、BG駆動で低減するキャリア量が一定値を上回ると静耐圧を超えるサージ電圧が発生する。本研究ではBGの新たな駆動法により、サージ電圧の抑制と低損失の両立が可能となり、ターンオフ損失が63％低減することを示す。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語)：\u003c\/strong\u003eA 4.5 kV-class single-back and double-front multi gate-controlled IGBT (SDG-IGBT) with a back gate achieves low on-voltage and reduce turn-off loss through high P-collector injection and BG-driven carrier reduction. However, excessive carrier reduction induces surge voltage. A novel BG drive method enables both loss reduction and surge suppression, reducing turn-off loss by 63%.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌：\u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/IEEJ-20251020X02902\"\u003e2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス\/半導体電力変換合同研究会-2\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ：\u003c\/strong\u003e79-84p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e2,300Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46967985504495,"sku":"IEEJ-20251020X02902-014-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46967985537263,"sku":"IEEJ-20251020X02902-014-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_7bd38d2b-fbca-4790-be5a-3e7c8468aec9.png?v=1760579425","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20251020x02902-014","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}