{"product_id":"ieej-20251020x02902-015","title":"MOS制御ダイオードのキャリア排出機構","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eEDD25089,SPC25221\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス\/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/10\/20\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eCarrier-extraction Mechanism of MOS-controllable Stored-carrier Diode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e鈴木 弘(日立製作所),竹内 悠次郎(日立製作所),高田 裕亮(日立製作所),平尾 高志(日立製作所),森塚 翼(ミネベアパワーデバイス),白石 正樹(ミネベアパワーデバイス),織田 哲男(ミネベアパワーデバイス),古川 智康(ミネベアパワーデバイス)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eHiroshi Suzuki(Hitachi),Yujiro Takeuchi(Hitachi),Yusuke Takada(Hitachi),Takashi Hirao(Hitachi),Tsubasa Moritsuka(Minebea Power Semiconductor Device),Masaki Shiraishi(Minebea Power Semiconductor Device),Tetsuo Oda(Minebea Power Semiconductor Device),Tomoyasu Furukawa(Minebea Power Semiconductor Device)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eダイオード,ＭＯＳ制御,蓄積キャリア,ｕｌｔｒａ－ｓｏｆｔ　＆　ｆａｓｔ　ｒｅｃｏｖｅｒｙ　ｄｉｏｄｅ　（Ｕ－ＳＦＤ）,深いｐ－層,３．３ｋＶ,diode,MOS controllable,stored carrier,ultra-soft \u0026amp; fast recovery diode (U-SFD),deep p- layer,3.3 kV\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e蓄積キャリア濃度を動的に制御し、導通損とスイッチング損のトレードオフを打破するMOS制御ダイオード（MOSD）のキャリア排出メカニズムを検討した。キャリア排出時間（tpre rr）は主にドリフト電流によって決まり、高耐圧のMOSDほど長いことをシミュレーションで示した。さらに、3.3 kV耐圧のMOSDを試作し、リカバリー損失が6.5kV耐圧よりも短いtpre rrで最小化すること、従来のpnダイオードに対しスイッチング損が35％低減することを実証した。\n\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語)：\u003c\/strong\u003eThis study investigates the carrier-extraction mechanism of a MOS-controllable stored-carrier diode (MOSD) that dynamically controls stored carriers\nto overcome the trade-off between conduction and switching losses. A 3.3-kV MOSD prototype demonstrated a shorter carrier-extraction time \ncompared with a 6.5-kV MOSD and 35% lower switching loss compared to a conventional pn diode.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌：\u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/IEEJ-20251020X02902\"\u003e2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス\/半導体電力変換合同研究会-2\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ：\u003c\/strong\u003e85-90p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e1,668Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46967985570031,"sku":"IEEJ-20251020X02902-015-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46967985602799,"sku":"IEEJ-20251020X02902-015-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_640276fd-ca21-47d2-a085-03a497c11ee3.png?v=1760579426","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20251020x02902-015","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}