{"product_id":"ieej-20251122c00101-002","title":"Hf0.5Zr0.5O2をゲート絶縁膜に用いたグラフェンFETの作製と物性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eEFM25008\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/11\/22\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eFabrication and physical properties of graphene FETs using Hf0.5Zr0.5O2 as a gate insulating film\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e高瀬 寛士(大阪工業大学),菊池 聖人(大阪工業大学),武本 凌河(大阪工業大学),原田 義之(大阪工業大学),藤元 章(大阪工業大学),小池 一歩(大阪工業大学),廣芝 伸哉(大阪工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eHiroshi Takase(Osaka Institute of Technology),Masato Kikuchi(Osaka Institute of Technology),Ryoga Takemoto(Osaka Institute of Technology),Yoshiyuki Harada(Osaka Institute of Technology),Akira Fujimoto(Osaka Institute of Technology),Kazuto Koike(Osaka Institute of Technology),Nobuya Hiroshiba(Osaka Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eグラフェン,ＦＥＴ,強誘電,Graphene,FET,Ferroelectoric\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e高移動度グラフェンのゲートスタック技術として、強誘電体Hf₀.₅Zr₀.₅O₂(HZO)に着目し、SiO₂と比較した。両基板上に高品質なグラフェンFETを作製・評価した結果、HZO上でのみ電荷中性点が負側へ大きくシフトした。これはHZOの強誘電分極により、グラフェンが実効的にn型ドープされたことを示唆するものである。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語)：\u003c\/strong\u003eWe investigated ferroelectric Hf₀.₅Zr₀.₅O₂ (HZO) as a gate dielectric for graphene FETs, in comparison to SiO₂. Graphene FETs on HZO uniquely exhibited a significant negative Dirac point shift, attributed to effective n-type doping from the HZO’s spontaneous ferroelectric polarization. This demonstrates a non-volatile carrier control method.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌：\u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/IEEJ-20251122C00101\"\u003e2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ：\u003c\/strong\u003e7-9p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e790Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 3","offer_id":47192933204207,"sku":"IEEJ-20251122C00101-002-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 3","offer_id":47192933236975,"sku":"IEEJ-20251122C00101-002-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_d5af64d7-2fb4-4205-be3d-4575fdd7bdc4.png?v=1763100679","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20251122c00101-002","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}