{"product_id":"ieej-20251122c00101-003","title":"低消費電力フォトトランジスタ向上のためのミストCVD法による高誘電率Al1-xTixOy膜の表面改質","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eEFM25009\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/11\/22\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eSurface Modification of Mist CVD grown High-k Dielectric Al1-xTixOy Films for Enhanced Low-Power Phototransistor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003eクドゥス  アブドゥル(立命館グローバル・イノベーション研究機構),田村  天琉(立命館大学理工学研究科),上野  啓司(埼玉大学理工学研究科), 白井  肇(埼玉大学理工学研究科),毛利  真一郎(立命館大学理工学研究科)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eAbdul Kuddus(R-GIRO),Tenryu  Tamura(Graduate School of Science and Engineering),Keiji  Ueno(Graduate School of Science and Engineering),Hajime Shirai(Graduate School of Science and Engineering),Shinichiro  Mouri(Graduate School of Science and Engineering)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eHigh-k dielectrics,GaS,Surface engineering,Mist CVD,AlTiO,Phototransistor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003eアモルファス高誘電率（high-κ）ゲート絶縁膜 Al₀.₇₇Ti₀.₂₃Oᵧ（ATO）薄膜に対する表面修飾の効果を報告する。これらの薄膜はミストCVD法により成長させ、水ミスト曝露、超薄膜AlOxパッシベーション、熱処理を組み合わせた表面改質を行った。水ミスト曝露によって–OH基が除去され、Al–O–Tiネットワークが緻密化された。一方、AlOxパッシベーション層は熱安定性を向上させ、リーク電流を抑制した。その結果、表面改質ATOは平滑な表面を示し、大きなバンドギャップ（κ \u0026gt;16, Eg \u0026gt;5.0 eV）を伴う優れた誘電特性と、Al₂O₃およびTiO₂に比べて優れた安定性を示した。さらに、このATO薄膜をGaS紫外光トランジスタのゲート絶縁膜として適用したところ、閾値電圧0.16 Vという低動作電圧とヒステリシスの抑制が実現された。これらの結果は、表面改質ATO薄膜が低消費電力かつ高性能な層状TMD光電子デバイスにおいて極めて有望なゲート絶縁材料であることを明確に示している。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語)：\u003c\/strong\u003eWe report the impact of surface modification of amorphous high-κ gate dielectrics Al0.77Ti0.23Oy (ATO) films grown by mist CVD via water-mist exposure, ultrathin AlOx passivation, and thermal treatment. Water-mist exposure removed –OH groups and densified the Al–O–Ti network, while AlOx passivation enhanced thermal stability and suppressed leakage. Surface-modified ATO exhibited a smooth surface, improved dielectric properties with a large band gap (κ \u0026gt;16, Eg \u0026gt;5.0 eV) and superior stability compared to Al₂O₃ and TiO₂. These ATO films enabled a low threshold voltage (0.16 V) and less hysteresis when applied as gate dielectric in GaS UV phototransistor, revealing strong potential for low-power, high-performance TMD photo devices.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌：\u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/IEEJ-20251122C00101\"\u003e2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ：\u003c\/strong\u003e11-15p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e英語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e772Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 5","offer_id":47192933269743,"sku":"IEEJ-20251122C00101-003-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":47192933302511,"sku":"IEEJ-20251122C00101-003-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_37fad2cf-c5db-4c38-9b80-feaf0b2ff565.png?v=1763100685","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20251122c00101-003","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}