{"product_id":"ieej-20251122c00101-004","title":"直方晶MgGeO3の配向膜成長と光学バンドギャップ評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eEFM25010\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/11\/22\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eOriented growth of orthorhombic MgGeO3 thin films and optical bandgap  measurements\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e古川 加惟(立教大学),田邉 一郎(立教大学),藤原 宏平(立教大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eKai Furukawa(RIKKYO UNIVERSITY),Ichiro Tanabe(RIKKYO UNIVERSITY),Kohei Fujiwara(RIKKYO UNIVERSITY)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eスパッタリング,薄膜,ワイドギャップ酸化物,光学バンドギャップ,Sputtering,Thin film,Wide-bandgap oxides,Optical bandgap\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e三元系ABO3は機能性酸化物の典型的構造の一つである。BサイトにGeを含む系では、大き　なバンドギャップと高移動度による透明半導体・導電体特性や結晶構造に起因する素子機能の発現が期待される。本研究では、スパッタリング法によりMgGeO3の薄膜成長に取り組んだ。再成長と高温アニールにより直方晶MgGeO3の配向膜を作製することに成功し、ワイドギャップ酸化物であることを明らかにした。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語)：\u003c\/strong\u003eABO3 oxides are a typical structure shared by various functional oxides. Systems containing Ge at the B site are expected to exhibit semiconducting\/conducting properties due to the combination of wide bandgap and high mobility, as well as device functionalities arising from their crystal structures. In this study, we attempted to grow MgGeO3 thin films by sputtering. By re-growth and high-temperature annealing, we achieved the oriented growth of orthorhombic MgGeO3 thin films and revealed their wide bandgap characteristics via optical measurements. \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌：\u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/IEEJ-20251122C00101\"\u003e2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ：\u003c\/strong\u003e17-19p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e820Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 3","offer_id":47192933335279,"sku":"IEEJ-20251122C00101-004-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 3","offer_id":47192933368047,"sku":"IEEJ-20251122C00101-004-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_57002a4f-1d3e-40a8-907b-5aa4dbcb90c6.png?v=1763100691","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20251122c00101-004","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}