{"product_id":"ieej-20251122c00101-008","title":"TaS2上にオゾン酸化形成したTaOx膜をゲート誘電体とするMoS2 FETにおける低電圧動作","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eEFM25014\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/11\/22\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eLow-voltage operations of MoS2 FETs with TaOx gate dielectrics formed by ozone oxidation on TaS2\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e佐橋 悠太朗(関西大学),稲田 貢(関西大学),上野 啓司(埼玉大学),山本 真人(関西大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eYutaro Sahashi(Kansai University),Mitsuru Inada(Kansai Univeristy),Keiji Ueno(Saitama University),Mahito Yamamoto(Kansai University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003e二次元半導体,酸化タンタル,ｈｉｇｈ－ｋ誘電体,二硫化モリブデン,2D semiconductor,TaOx,high-k dielectric,MoS2\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003eMoS2に代表される二次元半導体は、高い電界制御性を有することから次世代のFET材料として期待されている。本研究では、層状金属のTaS2をオゾン酸化することで表面にhigh-k酸化膜であるTaOxを形成し、TaS2をゲート、TaOxをゲート誘電体とするMoS2 FETを作製した。その結果、ゲート電圧1 V以下の低電圧で5桁以上のオン・オフ動作を実現した。本研究は、低電圧駆動二次元半導体FETの新しいゲート誘電膜形成プロセスを提案するものである。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語)：\u003c\/strong\u003e2D semiconductors such as MoS2, are anticipated as next generation FET materials due to their high electric field control. In this study, we formed a high-k dielectric, TaOx, on the surface of layered metal TaS2 by ozone oxidation. We fabricated a MoS2FET using TaS2 and TaOx as the gate and gate dielectric. As a result, a high on\/off ratio of ~105 is realized at a gate voltage of  \u0026lt; 1 V. This study suggests a new gate dielectric film formation process for 2D semiconductor FETs operating at low voltages.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌：\u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/IEEJ-20251122C00101\"\u003e2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ：\u003c\/strong\u003e27-29p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e2,425Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 3","offer_id":47192934187247,"sku":"IEEJ-20251122C00101-008-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 3","offer_id":47192934220015,"sku":"IEEJ-20251122C00101-008-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_49cc07e8-f217-4fcc-bdf9-04f68ee7a5fc.png?v=1763100716","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20251122c00101-008","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}