{"product_id":"ieej-20251122c00101-009","title":"液相プロセスによって形成したhigh-k TaOx薄膜の特性評価と二次元半導体ゲート絶縁膜応用","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eEFM25015\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/11\/22\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eCharacterization of high-k TaOx thin films formed by the solution process and the applications for gate insulators\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e能見 彩音(関西大学),稲田 貢(関西大学),上野 啓司(埼玉大学),山本 真人(関西大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eAyane Nomi(Kansai university),Mitsuru   Inada(Kansai university),Keiji  Ueno(Saitama University),Mahito  Yamamoto(Kansai university)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003e二次元半導体,電界効果トランジスタ,ｈｉｇｈ－ｋ絶縁膜,2D semiconductor,FET,high-k dielectric\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e二次元半導体のトランジスタ実用化に向けては、high-k絶縁膜の形成プロセスの開拓が必要不可欠である。本研究では、低温かつ大面積プロセスである液相プロセスを用いることで、high-k酸化膜であるTaOx薄膜の形成を試みた。そして、実際に液相プロセスTaOxをゲート絶縁膜とする二次元半導体FETを作製し、低電圧動作を実現した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語)：\u003c\/strong\u003eFor practical applications of 2D semiconductor transistors, explore of a process to form high-k dielectric thin film is necessary. In this work, we aimed to form high-k TaOx by a solution process, which is a low-temperature and large-scale process, and fabricated 2D semiconductor FETs by using the solution-processed TaOx.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌：\u003c\/strong\u003e\u003ca href=\"\/products\/IEEJ-20251122C00101\"\u003e2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会\u003c\/a\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ：\u003c\/strong\u003e31-34p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e930Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P10","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格660円\/会員価格440円） \/ A4 \/ 4","offer_id":47192934252783,"sku":"IEEJ-20251122C00101-009-PRT","price":660.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":47192934285551,"sku":"IEEJ-20251122C00101-009-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-KENKYUKAI_d1ad991f-ecd6-4d2d-8bce-6525fd4764ea.png?v=1763100722","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-20251122c00101-009","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}