{"product_id":"ieej-bta2025-3-b-p2-1","title":"【受賞講演】パワーエレクトロニクスにおける電磁環境","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003e3-B-p2-1\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【A】令和７年電気学会基礎・材料・共通部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/8\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e舟木 剛(大阪大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eパワーエレクトロニクス,電磁環境,パワーデバイス,ワイドバンドギャップ半導体\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e2050年カーボンニュートラルに向け、様々なアプリケーションの電動化が進められている。電動化にはパワーエレクトロニクスが不可欠となるが、更なる性能向上に向けてSi半導体から、SiCやGaN等のワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが採用されるようになってきた。これらの素子により導通損失やスイッチング損失が低減されるようになったが、一方で電力変換のスイッチング動作におけるdv\/dt、di\/dtが大きくなり、電磁雑音のレベル増加と周波数帯域の広帯域化が懸念されている。本講演ではパワーエレクトロニクスをとりまく電磁環境の動向について概説する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e200Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":49643084153071,"sku":"IEEJ-BTA2025-3-B-p2-1-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bumontaikai_9ecc2290-0b4d-4b55-abd2-7399aceeb61c.png?v=1780541681","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-bta2025-3-b-p2-1","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}