{"product_id":"ieej-bta2025-5-b-a2-2","title":"固体誘電体上マイクロギャップ放電における背後電極の影響","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003e5-B-a2-2\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【A】令和７年電気学会基礎・材料・共通部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/8\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e岡本 昂大(兵庫県立大学)，岡田 翔(兵庫県立大学)，上野 秀樹(兵庫県立大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eMicrometer-scale gap,Dielectric breakdown,Pulse voltage,Electro static discharge,Backside electrode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e近年,半導体内部の高集積化に伴い,静電気放電 (ESD)による機器の損傷の対策として,ESD保護デバイスが実用化されている.ESD保護デバイスの中でマイクロギャップ放電を用いたものがあるが,課題として低電圧化があげられる.そのため誘電体上マイクロギャップ放電を発生させることで沿面放電となり放電電圧が低下したことが報告されている.さらに,誘電体下に背後電極を配置することで沿面放電が進展しやすいことが報告されている.このことから誘電体の厚さを変更することで背後電極の影響により放電電圧に影響を及ぼす可能性がある.そこで本研究では,誘電体の厚さを変化させときの誘電体下に配置する背後電極が放電電圧に及ぼす影響と,その放電機構について調査した.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e303Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":49643134353647,"sku":"IEEJ-BTA2025-5-B-a2-2-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bumontaikai_90b99145-87da-42a7-9c83-5113596c0bb6.png?v=1780542527","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-bta2025-5-b-a2-2","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}