{"product_id":"ieej-btb2025343","title":"Effects of Temperature on the Dynamic Performance of 1.2kV, 32A SiC-Based Dual Active Bridge DC-DC Converter","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003e343\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【B】令和7年電気学会電力・エネルギー部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/9\/5\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eEffects of Temperature on the Dynamic Performance of 1.2kV, 32A SiC-Based Dual Active Bridge DC-DC Converter\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003eJamlick Murimi Kinyua（Nagoya Institute of Technology），青木睦（Nagoya Institute of Technology）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003e KINYUA JAMLICK MURIMI (Nagoya Institute of Technology), Mutsumi Aoki (Nagoya Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eデバイス特性,寄生インダクタンス,温度,EMI,エネルギー損失,SiC MOSFET,Device Characteristics,Parasitic Inductance,Temperature,EMI,Energy Loss,SiC MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e380Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":47682410152175,"sku":"IEEJ-BTB2025343-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bumontaikai_98dc5771-50cf-44b5-b3ae-94b3d99090f9.png?v=1770876043","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-btb2025343","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}