{"product_id":"ieej-btd2022r01091040","title":"ゲート磁気結合トランスとコンデンサを併用したSiC-MOSFET\/SiC-SBDスイッチング素子の直列駆動に関する研究","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-40\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】2022年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2022\/08\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eStudy on Driving Technique for Series-connected SiC-MOSFET\/SiC-SBD Switching Elements Using Gate-magnetic-coupling Transformer and Capacitor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e石井 一輝（東京工業大学）,浦壁 隆浩（東京工業大学）,萩原 誠（東京工業大学）,中嶋 純一（三菱電機）,檜垣 優介（三菱電機）,地道 拓志（三菱電機）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKazuki Ishii (Tokyo Institute of Technology),Takahiro Urakabe (Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara (Tokyo Institute of Technology),Junichi Nakashima (Mitsubishi Electric Corporation),Yusuke Higaki (Mitsubishi Electric Corporation),Takushi Jimic\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲート駆動回路|ゲート磁気結合方式|素子直列接続|gate drive circuit|gate-magnetic-coupling method|series connection of power elements\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e684 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4.0","offer_id":46404143841519,"sku":"IEEJ-BTD2022R01091040-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_89e6ba64-0cce-486d-b0d2-6ff493ac7ff3.png?v=1745048184","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-btd2022r01091040","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}