{"product_id":"ieej-btd2022r01091042","title":"並列接続SiC MOSFET直流遮断器のアバランシェ降伏時における被クランプ素子適用効果","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-42\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】2022年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2022\/08\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eThe Effect of Applying a Clamped Element to a Paralleled SiC MOSFETs DC Circuit Breaker during the Avalanche Breakdown Operation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e髙森 太郎（東京都立大学）,和田 圭二（東京都立大学）,齋藤 渉（九州大学）,西澤 伸一（九州大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTaro Takamori (Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University),Wataru Saito (Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa (Kyushu University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e半導体遮断器|被クランプ素子|SiC MPSダイオード|UIS|Solid-state circuit breaker|clamped element|SiC MPS diode|UIS\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,214 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4.0","offer_id":46404144038127,"sku":"IEEJ-BTD2022R01091042-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c4957154-b3e6-4a42-876c-787c85769f7f.png?v=1745048191","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-btd2022r01091042","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}