{"product_id":"ieej-btd2025r01041015","title":"銀焼結ダイボンドを用いたGaN-HEMTパワーモジュールの熱抵抗低減効果","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003e1-15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/8\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eThe effect of reducing thermal resistance in GaN-HEMT power modules using silver sintered die bonding\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e杉木 昭雄（大分デバイステクノロジー）,﨑山 寿人（大分デバイステクノロジー）,橋本 博典（大分デバイステクノロジー）,梅木 誠（大分デバイステクノロジー）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eAkio Sugiki (Oita Device Technology),Hisato Sakiyama (Oita Device Technology),Hironori Hashimoto (Oita Device Technology),Makoto Umeki (Oita Device Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003e銀焼結接合,熱抵抗,GaN-HEMTパワーモジュール,ワイドバンドギャップ半導体,silver sintered die bonding,thermal resistance,GaN-HEMT power modules,wide band gap semiconductors\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e529Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":47953872978159,"sku":"IEEJ-BTD2025R01041015-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bumontaikai_2bd7dcb1-9f6f-40a2-88a4-1bfa030736fa.png?v=1773125894","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-btd2025r01041015","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}