{"product_id":"ieej-btd2025r01141062","title":"HCIによるMOSFETの特性変動を実装するための解析手法","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003e1-62\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/8\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eAnalysis Methodology for Implementing MOSFET Characteristic Variation due to Hot Carrier Injection (HCI)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e堂本 航一（東京都立大学）,和田 圭二（東京都立大学）,林 真一郎（千葉工業大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eKoichi Domoto (Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University),Shinichiro Hayashi (Chiba Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eホットキャリアインジェクション,劣化モデル,デバイスシミュレーション,有限要素法,HotCarrierInjection,degradation model,device simulation,finite element method\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e579Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":47953894899951,"sku":"IEEJ-BTD2025R01141062-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bumontaikai_304adc71-78c5-4c61-8067-8fdc015ddda0.png?v=1773126161","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-btd2025r01141062","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}