{"product_id":"ieej-btd2025r01141063","title":"Si-IGBTのVCE-IC特性に基づいたターンオン時のモデル化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003e1-63\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/8\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eModeling of turn-on behavior based on the VCE-IC characteristics of Si-IGBT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e大山 結有花（早稲田大学）,川﨑 颯哉（早稲田大学）,中村 洋（早稲田大学）,近藤 圭一郎（早稲田大学）,石川 勝美（日立製作所）,金子 貴志（日立製作所）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eYuka Oyama (Waseda University),Soya Kawasaki (Waseda University),Nakamura Hiroshi (Waseda University),Keiichiiro Kondo (Waseda University),Katsumi Ishikawa (Hitachi),Takashi Kaneko (Hitachi)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eパワー半導体デバイス,Si-IGBT,スイッチング,ゲート電圧,Power semiconductor device,Si-IGBT,Switching,Gate voltage\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e613Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":47953897128175,"sku":"IEEJ-BTD2025R01141063-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bumontaikai_a22649ea-0a7d-4476-a386-f5057b96a338.png?v=1773126167","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-btd2025r01141063","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}