{"product_id":"ieej-btd2025r01141066","title":"GaN HEMT LLC共振コンバータの寿命推定","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003e1-66\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/8\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eEstimating the switching lifetime of GaN HEMT under LLC resonant converter\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e沖 宏一（ローム）,山下 博史（ローム）,財津 俊行（ローム）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eHirokazu Oki (ROHM),Hiroshi Yamashita (ROHM),Toshiyuki Zaitsu (ROHM)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eパワートランジスタ,電界効果トランジスタ,ワイドバンドギャップ半導体,窒化ガリウム,power transistor,field-effect transistor,wide bandgap semiconductor,gallium nitride\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e1,111Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":47953898307823,"sku":"IEEJ-BTD2025R01141066-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bumontaikai_dac01332-18f4-4b92-93d1-1c9d5dfffb75.png?v=1773126184","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-btd2025r01141066","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}