{"product_id":"ieej-btd2025r01161078","title":"パワー半導体素子直列構成における自己バイアスゲート駆動回路に関する研究","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003e1-78\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/8\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eA Study on Self-Biased Gate Driver Circuit for Series Connection of Power Semiconductor Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e高橋 晴大（東京科学大学）,浦壁 隆浩（東京科学大学）,原田 茂樹（東京科学大学）,糸川 祐樹（三菱電機）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eHaruto Takahashi (Institute of Science Tokyo),Takahiro Urakabe (Institute of Science Tokyo),Shigeki Harada (Institute of Science Tokyo),Yuki Itogawa (Mitsubishi Electric)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eパッシブゲート駆動方式,素子直列接続,ゲート信号遅延,パワーMOSFET,passive gate drive system,series connection of power devices,gate signal delay,power MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e797Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":47953903583471,"sku":"IEEJ-BTD2025R01161078-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bumontaikai_1a7f14d0-8fb2-4945-b8f6-9e68c6ec7301.png?v=1773126255","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-btd2025r01161078","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}