{"product_id":"ieej-btd2025y008","title":"矩形波電圧を用いたSiC MOSFETのゲート酸化膜TDDB寿命評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eY-8\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/8\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eGate Oxide TDDB Lifetime Evaluation of SiC MOSFETs Applying Square Wave Voltage\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e村岡 柊（千葉工業大学）,林 真一郎（千葉工業大学）,和田 圭二（東京都立大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eShu Muraoka (Chiba Institute of Technology),Shin-ichiro Hayashi (Chiba Institute of Technology),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eゲート酸化膜,長期信頼性,SiC MOSFET,TDDB,Gate oxide,Long-term reliability,SiC MOSFET,TDDB\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e377Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":47954212847855,"sku":"IEEJ-BTD2025Y008-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bumontaikai_1f7e7785-0e4f-4c99-8ee5-819aa3a65d4b.png?v=1773130601","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-btd2025y008","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}