{"product_id":"ieej-btd2025y029","title":"縦型GaN PNダイオードのトポロジー最適化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003eY-29\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2025\/8\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eTopology optimization of vertical GaN PN diode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003e林 郡君（大同大学）,服部 佳晋（大同大学）,野村 勝也（関西学院大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eJunjun Lin (Daido University),Yoshiyuki Hattori (Daido University),Katsuya Nomura (Kwansei Gakuin University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eトポロジー最適化,パワーデバイス,GaN,ダイオード,Topology optimization,Power device,GaN,Diode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別：\u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e428Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":47954221727983,"sku":"IEEJ-BTD2025Y029-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bumontaikai_9b2c0487-b38f-4e3c-8798-5fb8aad66147.png?v=1773130718","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-btd2025y029","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}