{"product_id":"ieej-ct11os11006","title":"レーザプロセス装置ベンチャーの事業紹介：パワー半導体用レーザアニーラ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eOS11-6\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/09\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eBusiness Introduction for A Venture of Laser Process Equipments : Laser Annealer for Power Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e楡 孝(フェトン),松野 明(フェトン),安藤 聡(フェトン)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakashi Nire(Phoeton Corporation),Akira Matsuno(Phoeton Corporation),Satoshi Ando(Phoeton Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eレーザプロセス|ベンチャー|パワー半導体|レーザアニーラ|IGBT|Laser Process|Venture|Power Device|Laser Annealer|IGBT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eフェトン株式会社は2002年創業のレーザプロセス装置ベンチャーです。研究開発型ベンチャーの一事例として当社の事業を紹介し、併せてレーザプロセス装置の具現例としてパワー半導体用レーザアニーラを紹介します。本商品は2波長のCWレーザを用いて、100μm以下の薄板Siウェハの表面の温度を100℃以下に保ったまま裏面数μmの領域を活性化することが可能で、薄型IGBTの新しい量産プロセスを提供するものです。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e21,374 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46406465487087,"sku":"IEEJ-CT11OS11006-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_988cd7aa-197c-49be-910d-9e4744816890.png?v=1745139414","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ct11os11006","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}