{"product_id":"ieej-ct11ps01004","title":"能動的樹状突起を有するハードウェアニューロンモデルのＳＴＤＰ特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003ePS1-4\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/09\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSTDP Characteristics of Hardware Neuron Model Including an Active Dendrite Element\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e大場 健太(日本大学),大瀧 光彦(日本大学),関根 好文(日本大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003ekenta Oba(Nihon University),Mitsuhiko Ootaki(Nihon University),Yoshifumi Sekine(Nihon University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e逆伝搬活動電位|ハードウェアニューロンモデル|長期増強|長期抑圧|STDP|back-propagation of active potential|hardware neuron model|long-term potentiation|long-term depression|STDP\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e我々は，脳の高次情報処理機能に着目し，神経細胞を模したハードウェアモデルの構築を行っている。生理学において，樹状突起を逆伝搬する活動電位と前ニューロンからの入力による興奮性シナプス後電位の到達タイミングによってシナプスの伝達効率が変化することが報告されている。本稿は，能動的樹状突起を有するハードウェアニューロンモデルを用いて長期増強や長期抑圧について検討し，本モデルにおけるSTDP特性を示している。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,626 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46406481838319,"sku":"IEEJ-CT11PS01004-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_24fa77f7-2691-464e-89fe-9220dbba0fff.png?v=1745140009","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ct11ps01004","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}