{"product_id":"ieej-ct11ps01009","title":"化合物半導体上におけるInSbナノワイヤーの成長","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003ePS1-9\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/09\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eGrowth of InSb nanowire on compound semiconductor substrate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e大川 一成(富山大学),河合 太宮人(富山大学),森 雅之(富山大学),前澤宏一 (富山大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eIssei Ookawa(Toyama University),Takuto Kawai(Toyama University),Masayuki Mori(Toyama University),Koichi Maezawa(Toyama University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eナノワイヤー|InSb|MBE|GaAs|化合物半導体金コロイド|nanowire|InSb|MBE|GaAs|compound semiconductorAu colloid\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e我々はMBE法を用いてGaAs基板上にInSbナノワイヤーを成長させ、蒸着時間と成長長さの関係を調査しました。蒸着時間が長くなればなるほど、最大成長長さ、平均成長長さが長くなるが、蒸着時間が240分より長くなると成長速度が飽和傾向になることが判明しました。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,384 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46406482264303,"sku":"IEEJ-CT11PS01009-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1212b941-219a-4099-92f5-c9895446abd9.png?v=1745140032","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ct11ps01009","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}