{"product_id":"ieej-ct11ps01010","title":"InSb単分子層を介したSi基板上への高移動度InSb薄膜の作製","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003ePS1-10\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/09\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh electron mobility InSb films grown on Si(111) with InSb bi-layer\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中山 幸二(富山大学),中谷 公彦(富山大学),安井 雄一郎(富山大学),森 雅之(富山大学),前澤宏一 (富山大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKoji Nakayama(University of Toyama),Kimihiko Nakatani(University of Toyama),Yuichiro Yasui(University of Toyama),Masayuki Mori(University of Toyama),Koichi Maezawa(University of Toyama)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eInSb|MBE|化合物半導体|単分子層|表面再構成|InSb|MBE|compound semiconductor|bilayer|surface reconstruction\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e我々はこれまでに、Si(111)基板上に1原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して、高品質なInSb薄膜を2段階成長法により作製できることを報告してきた。今回は、1層目の成長条件に着目し、成長温度、成長レート、蒸着量を最適化し、室温で約36,200cm2\/Vsという高い電子移動度を持ったInSb薄膜(膜厚1μm)を成長させた。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,429 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46406482297071,"sku":"IEEJ-CT11PS01010-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_642fe74c-aa32-4950-950d-f9fb1456956e.png?v=1745140035","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ct11ps01010","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}