{"product_id":"ieej-ct11tc12002","title":"InP系化合物半導体を用いたMOSFETの技術動向","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eTC12-2\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/09\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eTechnological trend of InP\/InGaAs MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e宮本 恭幸(東京工業大学),金澤 徹(東京工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYasuyuki Miyamoto(Tokyo Institute of Technology),Toru Kanazawa(Tokyo Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eInP|MOSFET|InGaAsInGaAs|InP|MOSFET|InGaAs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eMOSFETで最大ドレイン電流を大きくすることは重要であるが、シリコンでの限界も指摘されている。そこで、従来のシリコンに変わるチャネル材料として高移動度の化合物半導体を用いることが世界的に期待されている。なかでも最も有望とされるInP系の化合物半導体InGaAsをチャネルに用いたMOSFETについて、その現状を著者の研究例を交えつつ紹介する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e4,313 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46406446219503,"sku":"IEEJ-CT11TC12002-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e0677125-5dbe-4cea-bdaf-1dd635a9aae7.png?v=1745138826","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ct11tc12002","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}