{"product_id":"ieej-ct14gs05007","title":"Ni\/Si系におけるNiSi2相の低温形成","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eGS5-7\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2014\/09\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLow-temperature formation of NiSi2 phase in Ni\/Si system\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e野矢 厚(北見工業大学),武山 真弓(北見工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eAtsushi Noya(Kitami Institute of Technology),Mayumi B. Takeyama (Kitami Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eシリサイド|固相反応|形成温度形成温度|silicide|solid-phase reaction|formation temperature\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eNiとSiの化合物であるNiシリサイドはデバイスのオーミックコンタクト等の材料として注目されている。Ni\/Si系での固相反応で見られる相は、低温より順に、Ni2Si→NiSi→NiSi2であり、NiSi相はおよそ300℃から形成され、750℃まで安定であり、それ以上の温度で最終相であるNiSi2へと転移する。このようなNi\/Si反応系で、350?400℃の低温においても、高温相であるNiSi2相の形成が可能であることが明らかとなったので、その実験結果と可能な形成過程についての検討結果を報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,930 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46406542786799,"sku":"IEEJ-CT14GS05007-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_cc85de5c-34ff-4e47-bc94-5934e6dcfa01.png?v=1745142231","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ct14gs05007","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}