{"product_id":"ieej-dei07079","title":"物理的・化学的欠陥のトラップセンターと空間電荷形成","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eDEI07079\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【A】基礎・材料・共通部門　誘電・絶縁材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/09\/11\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSpace Charge Formation in Trapping Site caused by Physical and Chemical Defects\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高田 達雄(武蔵工業大学),早瀬 悠二(武蔵工業大学),本城 正人(武蔵工業大学),丸田 真吾(武蔵工業大学),田中 康寛(武蔵工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTatsuo Takada(Musashi Institute of Technology),Yuji Hayase(Musashi Institute of Technology),Masato Honjoh(Musashi Institute of Technology),Shingo Maruta(Musashi Institute of Technology),Yasuhiro Tanaka(Musashi Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e空間電荷|トラップ深さ|ホッピング時間|捕獲時間|ホモ電荷|ヘテロ電荷|space charge|trapping depth|hopping time|residence time|homo charge|hetero charge\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e709 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 11","offer_id":46393642123503,"sku":"IEEJ-DEI07079-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_519c0a16-464f-4dfc-a439-fabac9b533a4.png?v=1744701787","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dei07079","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}