{"product_id":"ieej-dt06o061o0605","title":"限界損失モデルをベースとした高電力密度化設計法","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-O6-5\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成18年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/08\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDesign method for high output power density converters based on power loss limit model\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高尾 和人(産業技術総合研究所),林 祐輔(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所),清水 敏久(首都大学東京),佐藤之彦 (千葉大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKazuto Takao(AIST),Yusuke Hayashi(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST),Toshihisa Shimizu(Tokyo Metropolitan Universiy),Yukihiko Sato(chiba university)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e電力変換器|高電力密度|シリコンカーバイドデバイス|Si-MOSFET| power converter| high output power density| Silicon carbide device| Si-MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e4,009 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46405204705519,"sku":"IEEJ-DT06O061O0605-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_95d60a89-5a47-49de-b5e2-b100ad8c43b3.png?v=1745088681","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt06o061o0605","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}