{"product_id":"ieej-dt06r01051033","title":"SiCを用いたトランジスタのシミュレーション","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-33\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成18年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/08\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevice Simulation of SiC Transister\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e坂田 博(愛媛大学),丹治 信幸(愛媛大学),松岡 高広(愛媛大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHiroshi Sakata(Ehime University),Nobuyuki Tanji(Ehime University),Takahiro Matsuoka(Ehime University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|シミュレーション|トランジスタ| SiC| Simulation| Transister\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,466 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46405200183535,"sku":"IEEJ-DT06R01051033-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3b4806f7-b92a-4865-83de-848d80052bc8.png?v=1745088325","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt06r01051033","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}