{"product_id":"ieej-dt07y001","title":"正孔注入型自己バイアスチャネルダイオードのゲート酸化膜薄膜化限界に関する一考察","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eY-1\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成19年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/08\/20\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eConsideration concerning Limit of Gate Oxide Thikness for a Hole Injection Type Self-Biased Channel Diode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e吉田 竜也(東北学院大学),菅原 文彦(東北学院大学),大沼孝一 (東北学院大学),安藤 寛人(福島キヤノン),星 秀明(オリジン電気),山口 日出男(オリジン電気)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTatsuya Yoshida(Tohoku Gakuin University),Fumihiko Sugawara(Tohoku Gakuin University),Koichi Ohnuma(Tohoku Gakuin University),Hiroto Ando(Fukushima Canon Co.,Ltd.),Hideaki Hoshi(Origin Electric Co.,Ltd.),Hideo Yamaguchi(Origin Electric Co.,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e正孔注入型|ゲート酸化膜|直接トンネル電流| Hole Injection Type|Gate Oxide Thickness|Direct Tunneling Current\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,070 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46405326209263,"sku":"IEEJ-DT07Y001-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_de941f5a-7e33-4be3-bb7f-594dcc5ae3c0.png?v=1745091868","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt07y001","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}