{"product_id":"ieej-dt08r01141126","title":"SiC-MOSFETの回路モデル","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-126\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成20年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/08\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eModeling of SiC-MOSFET for Circuit Simulation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中田 修平(三菱電機),炭谷 博昭(三菱電機),今泉 昌之(三菱電機),大森 達夫(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShuhei Nakata(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroaki Sumitani(Mitsubishi Electric Corporation),Masayuki Imaizumi(Mitsubishi Electric Corporation),Tatsuo Oomori(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーデバイス|モデル|シミュレーション| power device|model|simulation|SiC\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,708 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46405352620271,"sku":"IEEJ-DT08R01141126-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f6ebad09-762c-443d-8e88-39a64f270661.png?v=1745092576","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt08r01141126","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}