{"product_id":"ieej-dt08r01141127","title":"Modeling of Power MOSFET Based on Capacitance-Voltage Characteristics","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-127\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成20年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/08\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eModeling of Power MOSFET Based on Capacitance-Voltage Characteristics\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003eNathabhat Phankong(Kyoto University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University),Takashi Hikihara(Kyoto University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003ePhankong Nathabhat(Kyoto University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University),Takashi Hikihara(Kyoto University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003ePower MOSFET model|Transient response|Parameter extraction|C-V characteristics\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e3,550 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46405352849647,"sku":"IEEJ-DT08R01141127-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b9b77baa-b563-4229-aa87-d4d34b8320e0.png?v=1745092579","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt08r01141127","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}