{"product_id":"ieej-dt08r01141129","title":"インダクタンス負荷におけるSiC-VJFETのスイッチング特性に及ぼすゲート抵抗の影響","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-129\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成20年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/08\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eInfluence of gate resistance on Switching Characteristics of SiC-VJFET for Inductive Load\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e吉永 啓佑(九州工業大学),プーンヤケットソムパッタナー (九州工業大学),牧 健太郎(九州工業大学),原田 克彦(九州工業大学),大塚信也 (九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKeisuke Yoshinaga(Kyushu Institute of Technology),Sompathana Pounyakhet(Kyushu Institute of Technology),Kentarou Maki(Kyushu Institute of Technology),Katsuhiko Harada(Kyushu Institute of Technology),Shinya Ohtsuka(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC-VJFET|電磁障害|電磁環境両立性|スイッチング特性| |EMI|EMC| Switching characteristics\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,482 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46405352358127,"sku":"IEEJ-DT08R01141129-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3f1867a7-e4e7-4888-a73a-4a6dd166ea89.png?v=1745092563","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt08r01141129","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}