{"product_id":"ieej-dt09s031s0302","title":"パワーデバイスのモデリング技術の新動向","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-S3-2\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成21年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/08\/31\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNew Trend of Power Device Modeling for Circuit Simulations\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e三島 彰(日立製作所),畑中 歩(日立製作所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eAkira Mishima(Hitachi,Ltd.),Ayumu Hatanaka(Hitachi,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワー半導体モデル|IGBT|パワーダイオード|回路シミュレーション| Power Device Model|IGBT|Power Diode|Circuit Simulation \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e5,706 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46405432967407,"sku":"IEEJ-DT09S031S0302-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_8bca12eb-ef56-4eed-9faa-24a4679127b1.png?v=1745095500","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt09s031s0302","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}