{"product_id":"ieej-dt10r01091056","title":"PSPICEによるGaNパワーMOSFETのスイッチング特性解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-56\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成22年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/08\/23\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAnalysis of Switching Characteristics of GaN Power MOSFET Using PSPICE\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e岡本 昌幸(山口大学,科学技術振興機構,CREST),平木 英治(山口大学,科学技術振興機構,CREST),田中 俊彦(山口大学,科学技術振興機構,CREST),橋詰 保(北海道大学,科学技術振興機構,CREST),加地 徹(豊田中央研究所,科学技術振興機構,CREST)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasayuki Okamoto(Yamaguchi University,JST,CREST),Eiji Hiraki(Yamaguchi University,JST,CREST),Toshihiko Tanaka(Yamaguchi University,JST,CREST),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University,JST,CREST),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,INC.,JST,CREST)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaNパワーMOSFET|回路シミュレーション|PSPICE|スイッチング特性| GaN power MOSFET|circuit simulation|PSPICE|swtching characteristics\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,075 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46405463933167,"sku":"IEEJ-DT10R01091056-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_14a9d9b6-95f2-4649-96d4-70b67c18fdb2.png?v=1745097499","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt10r01091056","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}