{"product_id":"ieej-dt10r01091058","title":"TDR測定における低電圧・高速化パルスによる電圧依存性静電容量の測定精度向上","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-58\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成22年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/08\/23\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAccuracy Improvement in Measuring Voltage Dependent Capacitance of MOSFET Using TDR System with a Lower Voltage and Faster Rise Time Step Pulse\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e有賀 善之介(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eZen-nosuke Ariga(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e回路パラメータ|等価回路|MOSFET|TDR| circuit parameter|equivalent circuit|MOSFET|TDR\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e3,070 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46405463998703,"sku":"IEEJ-DT10R01091058-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c9a82337-f922-411c-9564-9138abf8c83e.png?v=1745097517","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt10r01091058","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}