{"product_id":"ieej-dt11r01151113","title":"単相PFCボードにおけるGaNパワーデバイスの実装評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-113\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/09\/06\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFeasible Evaluations of GaN-FET on Single Phase PFC Converter Board\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e野崎 優(島根大学),服部 文哉(島根大学),山本 真義(島根大学),町田 修(サンケン電気)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYu Nozaki(Shimane University),Fumiya Hattori(Shimane University),Masayoshi Yamamoto(Shimane University),Osamu Machida(SANKEN ELECTRIC CO. LTD)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化ガリウムデバイス|次世代型デバイス| Gallium nitride power semiconductor device|next-generation device\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,986 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46405534253295,"sku":"IEEJ-DT11R01151113-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_2ba6f54e-024e-47f7-94d7-19e061c88805.png?v=1745100881","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt11r01151113","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}