{"product_id":"ieej-dt11r01171131","title":"GaN HEMTのスケールアップモデルとスイッチング特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-131\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/09\/06\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eScaled up Modeling and Switching Characteristics of GaN HEMT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e豊田 玄紀(山口大学),岡本 昌幸(山口大学),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),橋詰 保(北海道大学),加地 徹(豊田中央研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eGenki Toyoda(Yamaguchi University),Masayuki Okamoto(Yamaguchi University),Eiji Hiraki(Yamaguchi University),Toshihiko Tanaka(Yamaguchi University),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,INC.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN HEMT|ノーマリーオン|スパイス|スイッチング特性| GaN HEMT|normally-on|spice|switching characteristics\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,840 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46405538447599,"sku":"IEEJ-DT11R01171131-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_6b708d29-379e-47ef-9e96-74f6d27ab275.png?v=1745101145","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt11r01171131","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}