{"product_id":"ieej-dt11r01171135","title":"高精度MOSFETモデルを用いた損失・ノイズ評価への基礎的検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-135\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/09\/06\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eInvestigation of noise and switching-energy loss by using a precise MOSFET model\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e岩田 恭彰(東京工業大学),冨永 真志(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),堀口 剛司(三菱電機),木ノ内 伸一(三菱電機),大井 健史(三菱電機),漆畑 廣明(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYasuaki Iwata(Tokyo Institute of Technology),Shinji Tominaga(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corp.),Shin-ichi Kinouchi(Mitsubishi Electric Corp.),Takeshi Oi(Mitsubishi Electric Corp.),Hiroaki Urushibata(Mitsubishi Electric Corp.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワー半導体モデル|損失解析|ノイズ解析|駆動回路設計| power semiconductor model|power loss analysis|noise analysis|gate driver design\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e3,889 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46405538545903,"sku":"IEEJ-DT11R01171135-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_0d4b8282-5f58-4670-a9b8-48d995e14437.png?v=1745101155","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt11r01171135","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}